کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6535667 | 49301 | 2014 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence and infrared spectroscopy for the study of defects in silicon for photovoltaic applications
ترجمه فارسی عنوان
طیف سنجی فوتولومینسانس و مادون قرمز برای مطالعه نقایص سیلیکون برای کاربردهای فتوولتائیک
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
چکیده انگلیسی
It is widely known that photoluminescence (PL) and infrared (IR) spectroscopies are among the experimental tools extensively used in the last decades for the study of impurities and defects in silicon for both microelectronic and photovoltaic applications. This review paper reports the main historical achievements and recent developments obtained in this field by PL and IR, paying particular attention to the most useful data for the study of defects in silicon for photovoltaic applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 130, November 2014, Pages 696-703
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 130, November 2014, Pages 696-703
نویسندگان
Simona Binetti, Alessia Le Donne, Adele Sassella,