کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
657518 | 1458069 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Experimental evidence of the working principle of thermal diodes based on thermal stress and thermal contact conductance – Thermal semiconductors
ترجمه فارسی عنوان
شواهد تجربی از اصل کار دیودهای حرارتی بر اساس استرس حرارتی و هدایت گرمائی تماس نیمه هادی های حرارتی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
دیود گرمایی هدایت حرارتی، نیمه هادی حرارتی، تجزیه و تحلیل تجربی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
جریان سیال و فرایندهای انتقال
چکیده انگلیسی
This article gives an experimental evidence of the working principle of thermal semiconductor (TSC) devices proposed by dos Santos Bernardes (2009) [1]. For that, TSC working principle is introduced and the experimental procedures adopted for thermal conductivity measurements of a prototype are described. The prototype positioned appropriately between hot and cold plates of the test apparatus revealed heat flux asymmetry with reverse positioning, achieving a diodicity of 0.068 ± 0.0025. The disclosure of this behavior supports experimentally the functionality of the TSC mechanism as a thermal diode.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: International Journal of Heat and Mass Transfer - Volume 73, June 2014, Pages 354–357
Journal: International Journal of Heat and Mass Transfer - Volume 73, June 2014, Pages 354–357
نویسندگان
Marco Aurélio dos Santos Bernardes,