کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
658848 | 1458124 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Numerical simulation of GaN single-crystal growth process in ammonothermal autoclave – Effects of baffle shape
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
جریان سیال و فرایندهای انتقال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The numerical simulation of an ammonothermal process for growing GaN bulk single crystals has been performed by using the SC/Tetra computational fluid dynamics software. The autoclave is assumed to be axisymmetric. Heat transfer by natural convection is discussed in the case of flat and funnel-shaped baffles. Simulation results show that the optimum baffle angle is approximately 20°. This result is identical to that obtained in our previous study on the hydrothermal ZnO crystal growth process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: International Journal of Heat and Mass Transfer - Volume 53, Issues 5–6, February 2010, Pages 940–943
Journal: International Journal of Heat and Mass Transfer - Volume 53, Issues 5–6, February 2010, Pages 940–943
نویسندگان
Y. Masuda, A. Suzuki, Y. Mikawa, Y. Kagamitani, T. Ishiguro, C. Yokoyama, T. Tsukada,