Computer modeling of surface interactions and contaminant transport in microstructures during the rinsing of patterned semiconductor wafers

ریزپردازی میکروساختار بر روی یک ویفر نیمه هادی الگو دار مدل سازی شده است. نتایج شبیه سازی برای دو مورد ارائه می شود زمانی که سطوح ترانشه به عنوان ریزساختار از یک ماده تک یا دو ماده مختلف ساخته شده است. پویایی حذف آلاینده از سطوح ریزساختار و وابستگی آن به ساختار هندسی، خصوصیات فیزیکی سطوح و نفوذپذیری آلاینده ارائه شده است. نتایج نشان می دهد که در مورد ترانشه با دو ماده مختلف، دینامیک تمیز کردن بستر ترانشه به شدت به ترتیب انباشته مواد بستگی دارد. هنگامی که مواد فوق دارای ضریب ضریب جذب کمتر هستند، پویایی حمل و نقل آلودگی در برخی از زمان ها به میزان کمتری افزایش می یابد که بستگی به ضخامت لایه ها دارد.