کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6606543 | 459524 | 2016 | 23 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxide-coated silicon nanowire array capacitor electrodes in room temperature ionic liquid
ترجمه فارسی عنوان
الکترودهای خازن آرایه نانوسیم سیلیکون پوشش اکسید شده در مایع یونیک دمای اتاق
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نانوسیم سیلیکون، اسپین دوپینگ، مایع یونی خازن الکترولیتی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
Improved performance of Si nanowire arrays for capacitor electrodes in ionic liquid [Bmim][NTf2], is obtained by spin-on-doping the nanowires followed by hot, concentrated nitric acid oxidation. n- and p-type Si nanowire arrays are fabricated via a 2-step metal-assisted chemical etch process to increase the effective surface area. Spin-on-doping increases the doping density of the nanowires, enhancing the current by a factor of more than 3. The well-controlled HNO3 oxidation defines a thin, dense oxide layer on the Si nanowires increasing chemical stability, both expanding the electrochemical window and increasing the current further by a factor >2. Specific capacitances of 238 μF cmâ2 (â¼0.4 F gâ1, 159 mF cmâ3) and 404 μF cmâ2 (â¼0.7 F gâ1, 269 mF cmâ3) are obtained for n- and p-type Si nanowire arrays, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Electrochimica Acta - Volume 210, 20 August 2016, Pages 32-37
Journal: Electrochimica Acta - Volume 210, 20 August 2016, Pages 32-37
نویسندگان
L. Qiao, A. Shougee, T. Albrecht, K. Fobelets,