کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6607951 | 459539 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nickel cobalt sulfide Nanotube Array on Nickel Foam as Anode Material for Advanced Lithium-Ion Batteries
ترجمه فارسی عنوان
آلیاژ نانولوله کبالت نیکل کبالت بر روی نیکل فوم به عنوان ماده آنودایز برای باتری های لیتیوم یون پیشرفته
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
سولفید نیکل کبالت، آرایه نانوتوب باتری لیتیوم یون، مواد انود،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
A facile twice-hydrothermal method is developed for large-scale growth of NiCo2S4 nanotube array on Ni foam with robust adhesion. As-prepared materials are characterized by SEM, XRD and EDS. It can be observed that NiCo2S4 nanotubes directly grow on Ni foam with an average inner-diameter of â¼Â 55 nm, external-diameter of 100 nm, and length of â¼Â 2 μm. When evaluated as a binder-free anode for LIBs, NiCo2S4 nanotube array exhibits outstanding lithium-storage performance that includes high special capacity, excellent cyclic stability and desirable rate capability. At 0.2 C rate, NiCo2S4 nanotube array delivers the average discharge capacity of 720 mAh gâ1 during 50 cycles that slightly surpasses its theoretical capacity of 703 mAh gâ1. When the current comes back to 0.2 C after rate measurements, NiCo2S4 nanotubes can still stably deliver the discharging capacity of 652 mAh gâ1, reaching 92.7% of that at the initial 0.2 C. Cyclic Voltammetry (CV) measurements reveal that NiCo2S4 nanotube array contains two sets of electrochemical reaction behavior come from Ni and Co. The unique NiCo2S4 nanotube array exhibits great potential as an anode material for high-performance Lithium-ion batteries.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Electrochimica Acta - Volume 198, 20 April 2016, Pages 280-286
Journal: Electrochimica Acta - Volume 198, 20 April 2016, Pages 280-286
نویسندگان
D.J. Yu, Y.F. Yuan, D. Zhang, S.M. Yin, J.X. Lin, Z. Rong, J.L. Yang, Y.B. Chen, S.Y. Guo,