کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6615276 | 459626 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface patterned dielectrics by direct writing of anodic oxides using scanning droplet cell microscopy
ترجمه فارسی عنوان
دی اکسیدکربن الگوی سطحی با نوشتن مستقیم اکسید های آنودایز با استفاده از میکروسکوپ الکترونی قطره اسکن
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
اسکن میکروسکوپ سلولی قطره، آلومینیوم آنودایز شده، اکسید آلومینیوم، الکترونیک انعطاف پذیر،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
- Scanning droplet cell microscopy was applied for local gate oxide writing.
- Sharp lines are obtained at the highest writing speed of 1 mm minâ1.
- 13.4Â kCÂ cmâ3 was found as charge per volume for aluminium oxide.
- High field constant of 24 nm Vâ1 and dielectric constant of 12 were determined for Al2O3 by CV and EIS.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Electrochimica Acta - Volume 113, 15 December 2013, Pages 755-761
Journal: Electrochimica Acta - Volume 113, 15 December 2013, Pages 755-761
نویسندگان
Christian M. Siket, Andrei Ionut Mardare, Martin Kaltenbrunner, Siegfried Bauer, Achim Walter Hassel,