کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
6616626 459625 2013 6 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrodeposition of CuInxGa1−xSe2 thin films from sulfosalicylic acid
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی شیمی مهندسی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electrodeposition of CuInxGa1−xSe2 thin films from sulfosalicylic acid
چکیده انگلیسی
In the present study, single-step electrodeposition of a CuInGaSe2 film from the sulfosalicylic acid electrolyte containing Cu(II), In(III), Ga(III), and Se(IV) species was examined. It was showed that individual Ga(III) ions do not reduce at glass carbon electrode in selected conditions. Deposition of the desired CuInGaSe2 film as the main compound was achieved by fixing appropriate applied potentials. The analysis of cyclic voltammetry curves for joint reduction of two, three and four ions composed this semiconductor compound allowed to choose the optimal conditions for electrodeposition. The applied potential should be more negative, then −700 mV, ratio concentration ions in electrolyte Cu(II):Se(lV):In(III):Ga(III) equal 1:2:4:4, t = ∼70 °C. It was fabricated p-type CuInGaSe2 as a single phase. A new possible pathway to prepare chalcopyrite structure thin films from simple single-step electrodeposition of a quaternary precursor from sulfosalicylic acid should be used for photovoltaic application.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Electrochimica Acta - Volume 107, 30 September 2013, Pages 120-125
نویسندگان
, ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت