کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6617440 | 459633 | 2013 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mechanism and dissolution rates of anodic oxide films on silicon
ترجمه فارسی عنوان
مکانیزم و سرعت انحلال فیلم های اکسید آنودایز بر روی سیلیکون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
This relationship is shown to hold for the whole concentration range investigated. Because hydrofluoric acid is a weak acid this rate equation converts to a cubic equation when written in terms of the total HF concentration as opposed to only the HF species, but in this form the connection with the dissolution mechanism is lost.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Electrochimica Acta - Volume 105, 30 August 2013, Pages 209-217
Journal: Electrochimica Acta - Volume 105, 30 August 2013, Pages 209-217
نویسندگان
D.Q. Liu, D.J. Blackwood,