کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6617440 459633 2013 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mechanism and dissolution rates of anodic oxide films on silicon
ترجمه فارسی عنوان
مکانیزم و سرعت انحلال فیلم های اکسید آنودایز بر روی سیلیکون
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی شیمی مهندسی شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
This relationship is shown to hold for the whole concentration range investigated. Because hydrofluoric acid is a weak acid this rate equation converts to a cubic equation when written in terms of the total HF concentration as opposed to only the HF species, but in this form the connection with the dissolution mechanism is lost.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Electrochimica Acta - Volume 105, 30 August 2013, Pages 209-217
نویسندگان
, ,