کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
670075 | 1458773 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of nanowire height on pool boiling performance of water on silicon chips
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
جریان سیال و فرایندهای انتقال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠A new technique is developed to directly grow copper nanowire on silicon substrate. ⺠Increasing nanowire height improves boiling performance. ⺠Optimal results were obtained in pool boiling with 35 nm long nanowires.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: International Journal of Thermal Sciences - Volume 50, Issue 11, November 2011, Pages 2084-2090
Journal: International Journal of Thermal Sciences - Volume 50, Issue 11, November 2011, Pages 2084-2090
نویسندگان
Z. Yao, Y.-W. Lu, S.G. Kandlikar,