کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6919225 | 1447802 | 2017 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Size dependent electronic properties of silicon quantum dots-An analysis with hybrid, screened hybrid and local density functional theory
ترجمه فارسی عنوان
خواص الکترونیکی وابسته به نقاط کوانتومی سیلیکون - تجزیه و تحلیل با هیبرید، هیبرید غربالگری و تئوری تابعی چگالی محلی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
We use an efficient projection scheme for the Fock operator to analyze the size dependence of silicon quantum dots (QDs) electronic properties. We compare the behavior of hybrid, screened hybrid and local density functionals as a function of the dot size up to â¼800 silicon atoms and volume of up to â¼20 nm3. This allows comparing the calculations of hybrid and screened hybrid functionals to experimental results over a wide range of QD sizes. We demonstrate the size dependent behavior of the band gap, density of states, ionization potential and HOMO level shift after ionization. We also demonstrate how the use of Graphical Processing Units (GPUs) can further accelerate such calculations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computer Physics Communications - Volume 221, December 2017, Pages 95-101
Journal: Computer Physics Communications - Volume 221, December 2017, Pages 95-101
نویسندگان
D. Gabay, X. Wang, V. Lomakin, A. Boag, M. Jain, A. Natan,