کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942394 | 1450287 | 2018 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Overlay accuracy limitations of soft stamp UV nanoimprint lithography and circumvention strategies for device applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An EBL system has also been utilized as a benchmarking tool to measure both stamp distortions and alignment precision of this mix & match approach. By aligning the EBL system to 20â¯mmâ¯Ãâ¯20â¯mm and 8â¯mmâ¯Ãâ¯8â¯mm cells to compensate pattern distortions of order of 3â¯Î¼m over 6â¯in. wafer area, overlay accuracy better than 1.2â¯Î¼m has been demonstrated. This result can partially be attributed to the flexible SCIL stamp which compensates deformations caused by the presence of particles which would otherwise significantly reduce the alignment precision.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 197, 5 October 2018, Pages 83-86
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 197, 5 October 2018, Pages 83-86
نویسندگان
P.J. Cegielski, J. Bolten, J.W. Kim, F. Schlachter, C. Nowak, T. Wahlbrink, A.L. Giesecke, M.C. Lemme,