کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6942419 1450289 2018 28 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of HfO2-based devices with indication of second order memristor effects
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Characterization of HfO2-based devices with indication of second order memristor effects
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 195, 5 August 2018, Pages 101-106
نویسندگان
, , , , ,