| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 6942424 | 1450289 | 2018 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ti/Au/n-GaAs planar Schottky diode with a moderately Si-doped matching sublayer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 195, 5 August 2018, Pages 26-31
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 195, 5 August 2018, Pages 26-31
نویسندگان
Alexander Shurakov, Pavel Mikhalev, Denis Mikhailov, Vladislav Mityashkin, Ivan Tretyakov, Anna Kardakova, Ivan Belikov, Natalia Kaurova, Boris Voronov, Ivan Vasil'evskii, Gregory Gol'tsman,