کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6942505 1450291 2018 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Shallow Si N + P junction diodes realized via molecular monolayer doping
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Shallow Si N + P junction diodes realized via molecular monolayer doping
چکیده انگلیسی
From chemistry to device fabrication: silicon N + P Junctions formed by self-assembled monolayer doping process.191
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 193, 5 June 2018, Pages 1-6
نویسندگان
, , , ,