کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6942524 1450292 2018 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A drain leakage phenomenon in poly silicon channel 3D NAND flash caused by conductive paths along grain boundaries
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
A drain leakage phenomenon in poly silicon channel 3D NAND flash caused by conductive paths along grain boundaries
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 192, 15 May 2018, Pages 66-69
نویسندگان
, , , ,