کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6942566 1450293 2018 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self-aligned gate-last process for quantum-well InAs transistor on insulator
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Self-aligned gate-last process for quantum-well InAs transistor on insulator
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 191, 5 May 2018, Pages 42-47
نویسندگان
, , , , ,