کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942573 | 1450294 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical study of H2 adsorbed on monolayer MoS2 doped with N, Si, P
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 190, 15 April 2018, Pages 63-67
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 190, 15 April 2018, Pages 63-67
نویسندگان
Jiamu Cao, Jing Zhou, Yufeng Zhang, Xiaowei Liu,