کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6942573 1450294 2018 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical study of H2 adsorbed on monolayer MoS2 doped with N, Si, P
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Theoretical study of H2 adsorbed on monolayer MoS2 doped with N, Si, P
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 190, 15 April 2018, Pages 63-67
نویسندگان
, , , ,