دانلود رایگان مقاله ISI : خصوصیات سوئیچینگ مقاومت بدون تشکیل بدون ساختار آرایه ای بر روی اکسید تانتالم و اکسید منگنز

Forming-free resistive switching characteristics in tantalum oxide and manganese oxide based crossbar array structure

Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 190, 15 April 2018, Pages 7-10

Quanli Hu, Mi Ra Park, Haider Abbas, Tae Su Kang, Tae-Sik Yoon, Chi Jung Kang,