کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942600 | 1450295 | 2018 | 23 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resistive switching characteristics of Ag/MnO/CeO2/Pt heterostructures memory devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 189, 5 April 2018, Pages 28-32
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 189, 5 April 2018, Pages 28-32
نویسندگان
Quanli Hu, Tae Su Kang, Haider Abbas, Tae Sung Lee, Nam Joo Lee, Mi Ra Park, Tae-Sik Yoon, Chi Jung Kang,