کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6942608 1450295 2018 14 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanofabrication of 80 nm asymmetric T shape gates for GaN HEMTs
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Nanofabrication of 80 nm asymmetric T shape gates for GaN HEMTs
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 189, 5 April 2018, Pages 6-10
نویسندگان
, , , ,