| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 6942684 | 1644959 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی کامپیوتر
													سخت افزارها و معماری
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volumes 187â188, 5 February 2018, Pages 134-138
											Journal: Microelectronic Engineering - Volumes 187â188, 5 February 2018, Pages 134-138
نویسندگان
												S.V. Tikhov, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.S. Korolev, I.N. Antonov, V.V. Karzanov, O.N. Gorshkov, D.I. Tetelbaum, P. Karakolis, P. Dimitrakis,