کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6942684 1644959 2018 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volumes 187–188, 5 February 2018, Pages 134-138
نویسندگان
, , , , , , , , , ,