کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942750 | 1450318 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Origin of the channel width dependent field effect mobility of graphene field effect transistors
ترجمه فارسی عنوان
منشا تحرک اثر وابسته به عرض کانال اثر ترانزیستور اثر میدان گرافن
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترانزیستورهای میدان مغناطیسی گرافن، وابستگی عرض کانال، حمل و نقل حامل غیر یکنواخت،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 163, 1 September 2016, Pages 55-59
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 163, 1 September 2016, Pages 55-59
نویسندگان
Young Gon Lee, Sung Kwan Lim, Chang Goo Kang, Yun Ji Kim, Doo Hua Choi, Hyun-Jong Chung, Rino Choi, Byoung Hun Lee,