کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942759 | 1450318 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal stress analysis of the low-k layer in a flip-chip package
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Thermal stress analysis of the low-k layer in a flip-chip package Thermal stress analysis of the low-k layer in a flip-chip package](/preview/png/6942759.png)
چکیده انگلیسی
Owing to the large size difference between the interconnection and the device, it is a challenge to model the thermal stress in a flip-chip packaging process. Multi-submodeling technology such as 4-submodel was reported to simulate the thermal stress in low-k layers. However, the numerical errors increase in the analysis due to the multiple interpolations in the method. In this work, a finite element analysis (FEA) with only one sub-model is used to predict thermal stress in the low-k layers. The model is shown in Fig. 1.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 163, 1 September 2016, Pages 78-82
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 163, 1 September 2016, Pages 78-82
نویسندگان
L. Wang, C. Xu, L. Lin, C. Yang, J. Wang, F. Xiao, W. Zhang,