کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942839 | 1450327 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of fluorine plasma treatment on AlGaN/GaN high electronic mobility transistors by simulated and experimental results
ترجمه فارسی عنوان
اثر درمان پلاسمایی فلوئور بر ترانزیستورهای تحرک بالا الگان / گنس با استفاده از نتایج شبیه سازی شده و تجربی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 154, 25 March 2016, Pages 22-25
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 154, 25 March 2016, Pages 22-25
نویسندگان
Zhu Gao, Bin Hou, Ying Liu, Xiaohua Ma,