کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6942919 | 1450328 | 2016 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Stamp degradation for high volume UV enhanced substrate conformal imprint lithography (UV-SCIL)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Stamp degradation for high volume UV enhanced substrate conformal imprint lithography (UV-SCIL) Stamp degradation for high volume UV enhanced substrate conformal imprint lithography (UV-SCIL)](/preview/png/6942919.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 153, 5 March 2016, Pages 66-70
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 153, 5 March 2016, Pages 66-70
نویسندگان
M.J. Haslinger, M.A. Verschuuren, R. van Brakel, J. Danzberger, I. Bergmair, M. Mühlberger,