کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943026 | 1450334 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial ZrSe2/MoSe2 semiconductor v.d. Waals heterostructures on wide band gap AlN substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Epitaxial ZrSe2/MoSe2 semiconductor v.d. Waals heterostructures on wide band gap AlN substrates Epitaxial ZrSe2/MoSe2 semiconductor v.d. Waals heterostructures on wide band gap AlN substrates](/preview/png/6943026.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 269-272
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 269-272
نویسندگان
P. Tsipas, D. Tsoutsou, J. Marquez-Velasco, K.E. Aretouli, E. Xenogiannopoulou, E. Vassalou, G. Kordas, A. Dimoulas,