کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943031 | 1450334 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band alignment at interfaces of few-monolayer MoS2 with SiO2 and HfO2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 294-297
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 294-297
نویسندگان
V.V. Afanas'ev, D. Chiappe, C. Huyghebaert, I. Radu, S. De Gendt, M. Houssa, A. Stesmans,