کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943080 | 1450334 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 92-95
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 92-95
نویسندگان
Rodrigo Trevisoli Doria, Márcio Alves Sodré de Souza, João Antonio Martino, Eddy Simoen, Cor Claeys, Marcelo Antonio Pavanello,