کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943084 1450334 2015 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hall-effect characterization of electron transport at SiO2/4H-SiC MOS interfaces
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Hall-effect characterization of electron transport at SiO2/4H-SiC MOS interfaces
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 137-140
نویسندگان
, , , , , ,