کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943084 | 1450334 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hall-effect characterization of electron transport at SiO2/4H-SiC MOS interfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Hall-effect characterization of electron transport at SiO2/4H-SiC MOS interfaces Hall-effect characterization of electron transport at SiO2/4H-SiC MOS interfaces](/preview/png/6943084.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 137-140
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 137-140
نویسندگان
G.A. Umana-Membreno, S. Dhar, A. Choudhary, S.-H. Ryu, J. Antoszewski, L. Faraone,