کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943089 | 1450334 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of Set and Reset mechanisms in Ni/HfO2-based RRAM with fast ramped voltages
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 176-179
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 176-179
نویسندگان
M. Maestro, J. Martin-Martinez, J. Diaz, A. Crespo-Yepes, M.B. Gonzalez, R. Rodriguez, F. Campabadal, M. Nafria, X. Aymerich,