کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943106 | 1450334 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of IZO buffer layer on the electrical performance of Ge-doped InZnO thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of IZO buffer layer on the electrical performance of Ge-doped InZnO thin-film transistors Effect of IZO buffer layer on the electrical performance of Ge-doped InZnO thin-film transistors](/preview/png/6943106.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 19-22
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 19-22
نویسندگان
Yong Jin Im, SangJo Kim, Yooseong Lim, Chan Hee Park, Seung Soo Ha, Moonsuk Yi,