کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943161 | 1450334 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of back interface passivation on electrical properties of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 196-200
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 196-200
نویسندگان
Xiao Yu, Jian Kang, Rui Zhang, Wei-Li Cai, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi,