کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943181 | 1450334 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Arsenic related defect states resonant with the semiconductor conduction band at the In0.53Ga0.47As/oxide interface: A density functional study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Arsenic related defect states resonant with the semiconductor conduction band at the In0.53Ga0.47As/oxide interface: A density functional study Arsenic related defect states resonant with the semiconductor conduction band at the In0.53Ga0.47As/oxide interface: A density functional study](/preview/png/6943181.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 260-263
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 260-263
نویسندگان
Davide Colleoni, Giacomo Miceli, Alfredo Pasquarello,