کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943213 | 1450334 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self-aligned inversion-channel n-InGaAs, p-GaSb, and p-Ge MOSFETs with a common high κ gate dielectric using a CMOS compatible process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Self-aligned inversion-channel n-InGaAs, p-GaSb, and p-Ge MOSFETs with a common high κ gate dielectric using a CMOS compatible process Self-aligned inversion-channel n-InGaAs, p-GaSb, and p-Ge MOSFETs with a common high κ gate dielectric using a CMOS compatible process](/preview/png/6943213.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 330-334
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 330-334
نویسندگان
C.H. Fu, Y.H. Lin, W.C. Lee, T.D. Lin, R.L. Chu, L.K. Chu, P. Chang, M.H. Chen, W.J. Hsueh, S.H. Chen, G.J. Brown, J.I. Chyi, J. Kwo, M. Hong,