کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943251 1450334 2015 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First principles modeling of electron tunneling between defects in m-HfO2
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
First principles modeling of electron tunneling between defects in m-HfO2
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 147, 1 November 2015, Pages 235-238
نویسندگان
, ,