کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943490 | 1450344 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
In-situ study of the TDDB-induced damage mechanism in Cu/ultra-low-k interconnect structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: In-situ study of the TDDB-induced damage mechanism in Cu/ultra-low-k interconnect structures In-situ study of the TDDB-induced damage mechanism in Cu/ultra-low-k interconnect structures](/preview/png/6943490.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 137, 2 April 2015, Pages 47-53
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 137, 2 April 2015, Pages 47-53
نویسندگان
Zhongquan Liao, Martin Gall, Kong Boon Yeap, Christoph Sander, Uwe Mühle, Jürgen Gluch, Yvonne Standke, Oliver Aubel, Norman Vogel, Meike Hauschildt, Armand Beyer, Hans-Jürgen Engelmann, Ehrenfried Zschech,