کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943507 | 1450344 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strain and tilt mapping in silicon around copper filled TSVs using advanced X-ray nano-diffraction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 137, 2 April 2015, Pages 117-123
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 137, 2 April 2015, Pages 117-123
نویسندگان
B. Vianne, S. Escoubas, M.-I. Richard, S. Labat, G. Chahine, T. Schülli, A. Farcy, P. Bar, V. Fiori, O. Thomas,