کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6943550 1450346 2015 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of oxide layer removal mechanism using reactive gases
ترجمه فارسی عنوان
بررسی مکانیسم حذف لایه اکسید با استفاده از گازهای واکنشی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
Etch rate of SiO2 and Si3N4 as a function of NH3/NF3 ratio.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 135, 5 March 2015, Pages 17-22
نویسندگان
, , , , , , , ,