کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943550 | 1450346 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of oxide layer removal mechanism using reactive gases
ترجمه فارسی عنوان
بررسی مکانیسم حذف لایه اکسید با استفاده از گازهای واکنشی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
Etch rate of SiO2 and Si3N4 as a function of NH3/NF3 ratio.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 135, 5 March 2015, Pages 17-22
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 135, 5 March 2015, Pages 17-22
نویسندگان
Hyun-Tae Kim, Jung-Soo Lim, Min-Su Kim, Hoon-Jung Oh, Dae-Hong Ko, Gyoo-Dong Kim, Woo-Gon Shin, Jin-Goo Park,