کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943625 | 1450363 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of bonding interface prepared by room-temperature Si wafer direct bonding using the surface smoothing effect of a Ne fast atom beam
ترجمه فارسی عنوان
مشخصه ی اتصال پیوندی تهیه شده بوسیله اتصال مستقیم سیم پی وی سی به دمای اتاق با استفاده از اثر صاف سطح یک پرتو اتم سریع
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 118, 25 April 2014, Pages 1-5
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 118, 25 April 2014, Pages 1-5
نویسندگان
Yuichi Kurashima, Atsuhiko Maeda, Hideki Takagi,