کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943631 | 1450363 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band offsets and electrical stability characterization of Zr-doped ZnO thin-film transistors with a Gd2O3 gate insulator
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Band offsets and electrical stability characterization of Zr-doped ZnO thin-film transistors with a Gd2O3 gate insulator Band offsets and electrical stability characterization of Zr-doped ZnO thin-film transistors with a Gd2O3 gate insulator](/preview/png/6943631.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 118, 25 April 2014, Pages 20-24
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 118, 25 April 2014, Pages 20-24
نویسندگان
Hsien-Chin Chiu, Hsiang-Chun Wang, Yi-Cheng Luo, Fan-Hsiu Huang, Hsuan-Ling Kao, Kuang-Po Hsueh,