کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943714 | 1450369 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical study of oxygen contaminated silicon quantum dots: A case study for Si29H29âxO29ây
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 112, December 2013, Pages 227-230
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 112, December 2013, Pages 227-230
نویسندگان
Aristides D. Zdetsis, Shanawer Niaz, Emmanuel N. Koukaras,