کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943864 | 1450369 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of a 3Â GHz oscillator based on Nano-Carbon-Diamond-film-based guided wave resonators
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- High frequency resonators developed for frequency source applications.
- Resonators manufactured using Electron Beam Lithography on ZnO/Diamond substrate (nucleation side).
- Single and double port resonators built in the 3-6Â GHz frequency range.
- Double port resonators found compatible with the oscillator application.
- Oscillator demonstration at 3 GHz : â90 dBc Hzâ1 at 1 kHz and a floor noise of â165 dBc Hzâ1.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 112, December 2013, Pages 133-138
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 112, December 2013, Pages 133-138
نویسندگان
Roland Salut, Celine Gesset, Gilles Martin, Badreddine Assouar, Philippe Bergonzo, Rodolphe Boudot, Omar Elmazria, Sylvain Ballandras,