کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943900 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermally activated analysis of LaSiOx/Si and GdSiOx/Si structures at cryogenic temperatures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Shallow electron traps associated with La and Gd ions have been identified.
- Shallow traps are located in transition layer between silicate and semiconductor.
- Activation energy of emission processes have been determined.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 31-34
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 31-34
نویسندگان
I.P. Tyagulskii, S.I. Tyagulskii, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, K. Cherkaoui, P.K. Hurley,