کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943967 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultrathin layer transfer technology for post-Si semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have developed the transfer technology of thin post-silicon materials by utilizing high quality heteroepitaxial growth. The single crystal Germanium layer transfer with epitaxial lift-off (ELO) technique on arbitrary substrates has been demonstrated. We also present InGaAs-OI wafers by conventional bonding/etching technique and the low temperature fabrication of InGaAs nMOSFETs. Polyimide is newly implemented in InGaAs nMOSFET fabrication process as an adhesive and an insulating layer on Si.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 133-136
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 133-136
نویسندگان
Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Taro Itatani, Eiko Mieda, Wipakorn Jevasuwan, Yuichi Kurashima, Hideki Takagi, Tetsuji Yasuda, Tomoyuki Takada, Taketsugu Yamamoto, Takeshi Aoki, Takenori Osada, Osamu Ichikawa, Masahiko Hata,