کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944047 | 1450373 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Novel encapsulated ITO/arc-ZnO:TiO2 antireflective passivating layer for TCO conducting substrate prepared by simultaneous radio frequency-magnetron sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We fabricated ITO/arc-ZnO:TiO2 antireflective TCO with blocking layer capability for DSSCs. ⺠Step-down interference structure based on double layer antireflection coating was used. ⺠Two maximum transmittance peaks around 440 nm and 760 nm could be seen. ⺠About 11% and 3% reduction in reflectance compared to bare ITO alone were achieved. ⺠Stable properties of antireflective TCO against annealing temperature achieved.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 108, August 2013, Pages 138-144
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 108, August 2013, Pages 138-144
نویسندگان
M.H. Abdullah, L.N. Ismail, M.H. Mamat, M.Z. Musa, M. Rusop,