کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944057 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Sheet resistance measurement on AlGaN/GaN wafers and dispersion study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- We study the dispersion in the Rsheet measurement.
- We study the light influence on the Rsheet measurement.
- We deduce a trapping mechanism in the AlGaN/GaN stack.
- We simulate the trapping phenomenon.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 334-337
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 334-337
نویسندگان
J. Lehmann, C. Leroux, M. Charles, A. Torres, E. Morvan, D. Blachier, G. Ghibaudo, E. Bano, G. Reimbold,