کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944065 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First demonstration of device-quality symmetric N-MOS and P-MOS capacitors on p-type and n-type crystalline Ge substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Ge interface nitride passivation.
- Si passivation layer thickness.
- SiON surface on Si passivation layer.
- Anneal to eliminate Ge-N bonds.
- Symmetric NMOS and CMOS capacitors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 370-373
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 370-373
نویسندگان
G. Lucovsky, J.W. Kim, D. Nordlund,