کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944133 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of Ti doping and annealing on multi-level forming-free resistive random access memories with atomic layer deposited HfTiOx nanolaminate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- We demonstrated forming-free switching using atomic layer deposited HfTiOx nanolaminate.
- Effect of Hf:Ti ratio and anneal conditions on switching characteristics were studied.
- Multi-level operation with four distinct levels and stable retention were observed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 193-196
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 193-196
نویسندگان
B. Chakrabarti, E.M. Vogel,