| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 6944142 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Gate-last integration on planar FDSOI for low-VTp and low-EOT MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 306-309
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 306-309
نویسندگان
S. Morvan, F. Andrieu, C. Leroux, X. Garros, M. Cassé, F. Martin, R. Gassilloud, Y. Morand, C. Le Royer, P. Besson, M.-C. Roure, C. Euvrard, M. Rivoire, A. Seignard, L. Desvoivres, S. Barnola, N. Allouti, P. Caubet, T. Poiroux,